řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFN100N50Q3 Typ N-kanálový 82 A 500 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-4752
- Výrobní číslo:
- IXFN100N50Q3
- Výrobce:
- IXYS
Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*
10 504,17 Kč
(bez DPH)
12 710,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 10 + | 1 050,417 Kč | 10 504,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-4752
- Výrobní číslo:
- IXFN100N50Q3
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 82A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | HiperFET, Q3-Class | |
| Typ balení | SOT-227 | |
| Typ montáže | Panel | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 49mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 960W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 255nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.6mm | |
| Délka | 38.23mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 82A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada HiperFET, Q3-Class | ||
Typ balení SOT-227 | ||
Typ montáže Panel | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 49mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 960W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 255nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.6mm | ||
Délka 38.23mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q
IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Nízký vnitřní odpor brány
Balení podle průmyslových norem
Nízká indukčnost součástky
Vysoká hustota výkonu
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET PLUS264, počet kolíků: 3 kolíkový IXYS Vylepšení