řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET Typ N-kanálový 64 A 500 V IXYS, PLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

11 113,26 Kč

(bez DPH)

13 447,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +370,442 Kč11 113,26 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4719
Výrobní číslo:
IXFX64N50Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

64A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

PLUS247

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

85mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

145nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1kW

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

21.34mm

Délka

16.13mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q


IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor brány

Balení podle průmyslových norem

Nízká indukčnost součástky

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy