AEC-Q101, řada: MDmesh, SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 2.2 A 1 kV STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 165-8050
- Výrobní číslo:
- STD4NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
79 047,50 Kč
(bez DPH)
95 647,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 31,619 Kč | 79 047,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-8050
- Výrobní číslo:
- STD4NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1kV | |
| Řada | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.2 mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1kV | ||
Řada MDmesh, SuperMESH | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.2 mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- AEC-Q101 SuperMESH MOSFET STD4NK100Z Typ N-kanálový 2.2 A 1 kV STMicroelectronics počet kolíků:
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET STD12N60DM6 Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
