MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 P-kanálový 4,7 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 165-6934
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
6000 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (na civce po 3000)
2,53 Kč
(bez DPH)
3,06 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za cívku* |
| 3000 - 3000 | 2,53 Kč | 7 596,00 Kč |
| 6000 + | 2,41 Kč | 7 218,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 165-6934
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | P |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 4,7 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 20 V |
| Typ balení | SOT-23 |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 67.5 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 0.4V |
| Maximální ztrátový výkon | 1,7 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -8 V, +8 V |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 23,8 nC při 8 V |
| Délka | 3.04mm |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Šířka | 1.4mm |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Výška | 1.02mm |
| Minimální provozní teplota | -50 °C |
- Skladové číslo RS:
- 165-6934
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay