řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 272 A 100 V Texas Instruments, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 162-9739
- Výrobní číslo:
- CSD19536KTTT
- Výrobce:
- Texas Instruments
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 naviják po 50 kusech)*
4 401,55 Kč
(bez DPH)
5 325,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 500 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 88,031 Kč | 4 401,55 Kč |
| 100 - 200 | 85,373 Kč | 4 268,65 Kč |
| 250 + | 84,336 Kč | 4 216,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 162-9739
- Výrobní číslo:
- CSD19536KTTT
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 272A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | NexFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 118nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 272A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada NexFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 118nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
Tranzistory MOSFET, Texas Instruments
Související odkazy
- řada: NexFET MOSFET CSD19536KTTT Typ N-kanálový 272 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ P-kanálový 76 A 20 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 73 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 204 A 40 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 273 A 80 V Texas Instruments počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení