MOSFET 2SK1339-E N-kanálový 3 A 900 V, TO-3P, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 124-3649
- Výrobní číslo:
- 2SK1339-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
k dispozici s dodáním do 6 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 2)
85,59 Kč
(bez DPH)
103,56 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za balení* |
| 2 - 2 | 85,59 Kč | 171,18 Kč |
| 4 - 8 | 77,23 Kč | 154,46 Kč |
| 10 - 48 | 69,94 Kč | 139,87 Kč |
| 50 - 98 | 64,23 Kč | 128,45 Kč |
| 100 + | 59,45 Kč | 118,90 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 124-3649
- Výrobní číslo:
- 2SK1339-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory MOSFET s kanálem N 150 v a více, Renesas Electronics
Tranzistory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 3 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 900 V |
| Typ balení | TO-3P |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Počet kolíků | 3 + Tab |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 7 Ω |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální ztrátový výkon | 80 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V |
| Délka | 15.6mm |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Šířka | 4.8mm |
| Propustné napětí diody | 0.9V |
| Výška | 19.9mm |
- Skladové číslo RS:
- 124-3649
- Výrobní číslo:
- 2SK1339-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics