MOSFET RJK6012DPP-E0#T2 N-kanálový 10 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 121-6898P
- Výrobní číslo:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Výrobce:
- Renesas Electronics
k dispozici s dodáním do 6 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v zasuvnem prutu)
57,46 Kč
(bez DPH)
69,52 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit |
| 10 - 18 | 57,46 Kč |
| 20 - 98 | 51,75 Kč |
| 100 - 198 | 47,90 Kč |
| 200 + | 45,25 Kč |
- Skladové číslo RS:
- 121-6898P
- Výrobní číslo:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- KR
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory MOSFET s kanálem N 150 v a více, Renesas Electronics
Tranzistory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 10 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V |
| Typ balení | TO-220FP |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 920 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální ztrátový výkon | 30 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | +30 V |
| Délka | 10.16mm |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Šířka | 4.7mm |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 30 nC při 10 V |
| Výška | 15.87mm |
| Propustné napětí diody | 1.5V |
- Skladové číslo RS:
- 121-6898P
- Výrobní číslo:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Výrobce:
- Renesas Electronics