MOSFET RJK5015DPK-00#T0 N-kanálový 25 A 500 V, TO-3P, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 121-6897
- Výrobní číslo:
- RJK5015DPK-00#T0
- Výrobce:
- Renesas Electronics
k dispozici s dodáním do 6 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus
123,41 Kč
(bez DPH)
149,33 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit |
| 1 - 4 | 123,41 Kč |
| 5 - 9 | 106,16 Kč |
| 10 - 49 | 92,62 Kč |
| 50 - 99 | 83,60 Kč |
| 100 + | 76,97 Kč |
- Skladové číslo RS:
- 121-6897
- Výrobní číslo:
- RJK5015DPK-00#T0
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory MOSFET s kanálem N 150 v a více, Renesas Electronics
Tranzistory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 25 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 500 V |
| Typ balení | TO-3P |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 240 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální ztrátový výkon | 150 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | +30 V |
| Délka | 15.6mm |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Šířka | 4.8mm |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 66 nC při 10 V |
| Výška | 19.9mm |
| Propustné napětí diody | 1.6V |
- Skladové číslo RS:
- 121-6897
- Výrobní číslo:
- RJK5015DPK-00#T0
- Výrobce:
- Renesas Electronics