AEC-Q101, řada: SCT MOSFET SCT012H90G3AG Typ N-kanálový 110 A 900 V STMicroelectronics, H2PAK-7, počet kolíků: 7

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

1 285 370,00 Kč

(bez DPH)

1 555 300,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +1 285,37 Kč1 285 370,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-219
Výrobní číslo:
SCT012H90G3AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

110A

Maximální napětí na zdroji Vds

900V

Typ balení

H2PAK-7

Řada

SCT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

12mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22 V

Maximální ztrátový výkon Pd

625W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

138nC

Přímé napětí Vf

2.8V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

10.4 mm

Délka

15.25mm

Normy/schválení

RoHS, AEC-Q101

Výška

4.8mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Zařízení STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 3. generace společnosti ST. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkou kapacitou a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace z hlediska frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.

Vysokorychlostní spínací výkony

Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem

Související odkazy