AEC-Q101 MOSFET ZXM61P03FTA Typ P-kanálový 1.1 A 30 V DiodesZetex, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 155-232
- Výrobní číslo:
- ZXM61P03FTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
172,90 Kč
(bez DPH)
209,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 23 475 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 6,916 Kč | 172,90 Kč |
| 150 - 725 | 3,962 Kč | 99,05 Kč |
| 750 - 1475 | 3,488 Kč | 87,20 Kč |
| 1500 + | 2,915 Kč | 72,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 155-232
- Výrobní číslo:
- ZXM61P03FTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 550mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 806mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.95V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.05mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.4 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 550mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 806mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Přímé napětí Vf -0.95V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.05mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.4 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.1 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.6 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET ZXMP6A17E6TA Typ P-kanálový 3 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET ZXMP3A13FTA Typ P-kanálový 1.6 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení