řada: MDmesh K5 MOSFET STD6N95K5 Typ N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-926P
- Výrobní číslo:
- STD6N95K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
3 136,90 Kč
(bez DPH)
3 795,65 Kč
(s DPH)
Přidejte 50 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Skladem
- 2 495 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 95 | 62,738 Kč |
| 100 - 495 | 58,194 Kč |
| 500 - 995 | 53,45 Kč |
| 1000 + | 51,524 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-926P
- Výrobní číslo:
- STD6N95K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 950V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | MDmesh K5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±30 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.6 mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 950V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada MDmesh K5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.6nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.6 mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní vlastní vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a velmi nízký náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Nejnižší RDS(on) x plocha v odvětví
Nejlepší FoM v odvětví
Velmi nízký náboj hradla
100% lavinově testováno
Zenerova ochrana