onsemi JFET MMBFJ177LT1G Typ P-kanálový JFET-kanálový -25 V dc, konfigurace: Jednoduchý 1.5 → 20 mA, SOT-23,

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 237,10 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

45,94 Kč

(bez DPH)

55,59 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 7 540 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
  • Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 14. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
Úspora
10 - 904,594 Kč45,94 Kč-
100 - 2402,223 Kč22,23 Kč237,10 Kč
250 - 4902,124 Kč21,24 Kč617,50 Kč
500 - 9901,976 Kč19,76 Kč1 309,00 Kč
1000 +1,902 Kč19,02 Kč2 692,00 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
773-7816
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-45-666
Výrobní číslo:
MMBFJ177LT1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

JFET

Podtyp

JFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální napětí na zdroji Vds

-25V dc

Konfigurace

Jednoduchý

Typ montáže

Povrch

Typ balení

SOT-23

Maximální ztrátový výkon Pd

225mW

Maximální odpor zdroje Rds

300Ω

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-55°C

Odvod zdrojového proudu Ids

1.5 → 20 mA

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V dc

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

3.04mm

Výška

1.01mm

Normy/schválení

No

Šířka

1.4mm

Automobilový standard

Ne

P-kanálový JFET, on Semiconductor


Tranzistory JFET


Sortiment diskrétních polovodičových součástek JFET (tranzistorů pracujících na poli) a HFET (tranzistor s vysokou elektronovou mobilitou/heterogenní FET).

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.