STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

1 632,18 Kč

(bez DPH)

1 974,94 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 345 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 95163,218 Kč
100 - 495130,614 Kč
500 - 995116,188 Kč
1000 +98,108 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2905P
Výrobní číslo:
STGW30NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

29ns

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.7V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

Rugged

Normy/schválení

JEDEC Standard JESD97

Výška

20.15mm

Jmenovitá energie

1435mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.