STMicroelectronics IGBT N-kanálový 60 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- Skladové číslo RS:
- 877-2905P
- Výrobní číslo:
- STGW30NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 125 kusů a ušetřete 21%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
8 276,00 Kč
(bez DPH)
10 014,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 325 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 165,52 Kč | - |
| 125 + | 129,804 Kč | 21% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2905P
- Výrobní číslo:
- STGW30NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 29ns | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.7V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC Standard JESD97 | |
| Řada | Rugged | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 1435mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 29ns | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.7V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC Standard JESD97 | ||
Řada Rugged | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 1435mJ | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.