standard: AEC-Q100IGBT FGI3040G2_F085 N-kanálový 41 A 400 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
864-8880
Výrobní číslo:
FGI3040G2_F085
Výrobce:
ON Semiconductor
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

ON Semiconductor

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

41 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

400 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±10V

Maximální ztrátový výkon

150 W

Typ balení

I2PAK (TO-262)

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

10.29 x 4.83 x 11.05mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-55 °C

Automobilový standard

AEC-Q100

IGBT pro automobilové Fairchild Semiconductor


Tato zařízení EcoSPARK IGBT jsou optimalizována pro řízení automobilových zapalovacích cívek. Byly testovány na stres a splňují standard AEC-Q101.

Charakteristiky


• Pohon zadní stěny na úrovni logiky
• Ochrana ESD
• Aplikace: Obvody ovladače zapalovacích cívek Coil-on-Plug

Kódy RS


864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK

864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2

7-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK

864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK

864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220

864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2

864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK

807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK

864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2

864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

Poznámka

Uvedené hodnoty proudu platí při teplotě spoje Tc = +110 °C.

Standardy

AEC-Q101


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy