IGBT modul FS50R07N2E4BOSA1 N-kanálový 70 A 650 V, ECONO2, počet kolíků: 28 1MHz 3fázový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Skladové číslo RS:
838-6970
Výrobní číslo:
FS50R07N2E4BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

70 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

190 W

Konfigurace

3fázový můstek

Typ balení

ECONO2

Typ montáže

Montáž na plošný spoj

Typ kanálu

N

Počet kolíků

28

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

3fázový

Rozměry

107.5 x 45 x 17mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy