Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 400 A 1.2 kV, Modul 62MM, počet kolíků: 5 kolíkový Povrch 1 MHz 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 675,01 Kč

(bez DPH)

3 236,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 06. března 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 12 675,01 Kč
2 - 42 541,38 Kč
5 +2 434,43 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
838-6898
Výrobní číslo:
FZ400R12KE3HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

400A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1.2kV

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

2.25kW

Typ balení

Modul 62MM

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

5

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální provozní teplota

125°C

Řada

FZ400R12KE3

Normy/schválení

No

Délka

106.4mm

Výška

36.5mm

Šířka

61.4 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy