STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGB18N40LZT4 N-kanálový 30 A 420 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Skladové číslo RS:
- 810-3485P
- Výrobní číslo:
- STGB18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 425,70 Kč
(bez DPH)
2 935,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 48,514 Kč |
| 250 - 495 | 43,332 Kč |
| 500 + | 37,212 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 810-3485P
- Výrobní číslo:
- STGB18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 420V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.7V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 16 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Řada | Automotive Grade | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 420V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.7V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 16 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 9.35mm | ||
Řada Automotive Grade | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.