STMicroelectronics IGBT N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 795-9198P
- Výrobní číslo:
- STGW30NC60WD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
2 175,80 Kč
(bez DPH)
2 632,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 108,79 Kč | - |
| 100 - 198 | 97,17 Kč | 10% |
| 200 + | 83,445 Kč | 23% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-9198P
- Výrobní číslo:
- STGW30NC60WD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC Standard JESD97 | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 14.8mm | |
| Šířka | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC Standard JESD97 | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 14.8mm | ||
Šířka 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.