STMicroelectronics IGBT N-kanálový 11 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 795-9072P
- Výrobní číslo:
- STGF14NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 23%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 560,40 Kč
(bez DPH)
1 888,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 31,208 Kč | - |
| 250 - 495 | 23,794 Kč | 23% |
| 500 + | 21,29 Kč | 31% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-9072P
- Výrobní číslo:
- STGF14NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 11A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 28W | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 16.4mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 11A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 28W | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 16.4mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.