IGBT STGF14NC60KD N-kanálový 11 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- RS Stock No.:
- 795-9072P
- Mfr. Part No.:
- STGF14NC60KD
- Brand:
- STMicroelectronics
Bulk discount available
Subtotal 10 units (supplied in a tube)*
439,66 Kč
(exc. VAT)
531,99 Kč
(inc. VAT)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Units | Per unit |
|---|---|
| 10 - 95 | 43,966 Kč |
| 100 - 495 | 32,95 Kč |
| 500 - 995 | 27,912 Kč |
| 1000 + | 23,81 Kč |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 795-9072P
- Mfr. Part No.:
- STGF14NC60KD
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 11 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 28 W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Rychlost spínání | 1MHz | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 11 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 28 W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Rychlost spínání 1MHz | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.