STMicroelectronics IGBT N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 792-5827P
- Výrobní číslo:
- STGW80V60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 127,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 074,10 Kč
(bez DPH)
1 299,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 315 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 10 - 49 | 107,41 Kč | - |
| 50 - 99 | 104,87 Kč | 127,00 Kč |
| 100 + | 98,15 Kč | 926,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5827P
- Výrobní číslo:
- STGW80V60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 120A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 469W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Řada | Trench Gate Field Stop | |
| Délka | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 120A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 469W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.15mm | ||
Řada Trench Gate Field Stop | ||
Délka 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.