STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 791-7655P
- Výrobní číslo:
- STGW60V60F
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 125 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
5 066,50 Kč
(bez DPH)
6 130,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 101,33 Kč | - |
| 125 + | 96,086 Kč | 5% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 791-7655P
- Výrobní číslo:
- STGW60V60F
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 14.8mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Řada | V | |
| Šířka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | ECOPACK | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 14.8mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Řada V | ||
Šířka 15.75mm | ||
Normy/schválení ECOPACK | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.