IGBT IRG4IBC20KDPBF N-kanálový 11.5 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) od společnosti Infineon poskytují rozšiřující šasi kompletní řadu možností, které zajišťují, že je vaše applikace pokryta. Vysoké hodnoty účinnosti umožňují použití tohoto rozsahu IGBT v široké škále aplikací a díky nízkým spínacím ztrátám mohou podporovat různé frekvence přepínání.

IGBT je společně zabaleno s velmi rychlou, měkkou antiparalelní diodou pro využití v přemosťovacích konfiguracích

IGBT tranzistory, International Rectifier

International Rectifier nabízí rozsáhlé portfolio IGBT (Insuleded Gate Bipolární tranzistor) od 300 V do 1200 V založené na různých technologiích, které minimalizují ztráty spínání a vedení a zvyšují tak efektivitu, snižují tepelné problémy a zlepšují hustotu energie. Společnost také nabízí širokou škálu IGBT dies navržených speciálně pro středně- až vysoce výkonné moduly. U modulů, které vyžadují nejvyšší spolehlivost, lze použít pevné profily předního kovu (SFM), které eliminují použití lepicích kabelů a umožňují oboustranné chlazení pro lepší tepelný výkon, spolehlivost a efektivitu.