Infineon Hybridní diskrétní dioda IKZA75N65SS5XKSA1 75 A 650 V, PG-TO247-4-3, počet kolíků: 4 kolíkový 2 Průchozí otvor

Mezisoučet (30 jednotky/-ek, do tubusu po 30 ks)*

4 438,89 Kč

(bez DPH)

5 371,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +147,963 Kč4 438,89 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-2993
Výrobní číslo:
IKZA75N65SS5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Hybridní diskrétní dioda

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

75A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Počet tranzistorů

2

Maximální ztrátový výkon Pd

395W

Typ balení

PG-TO247-4-3

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

20.9mm

Výška

4.9mm

Šířka

15.7mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Diskrétní IGBT společnosti Infineon s schottkyho diodou z karbidu křemíku má mimořádně nízké spínací ztráty díky kombinaci technologie diod TRENCHSTOP 5 a CoolSiC, stejně jako pouzdro emitoru Kelvin.

Nejvyšší účinnost

Snížené chladicí úsilí

Zvýšená hustota výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.