Infineon Hybridní diskrétní dioda IKZA75N65SS5XKSA1 75 A 650 V, PG-TO247-4-3, počet kolíků: 4 kolíkový 2 Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 273-2993
- Výrobní číslo:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
5 317,41 Kč
(bez DPH)
6 434,07 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 177,247 Kč | 5 317,41 Kč |
| 60 + | 163,605 Kč | 4 908,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2993
- Výrobní číslo:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Hybridní diskrétní dioda | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 75A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Počet tranzistorů | 2 | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 395W | |
| Typ balení | PG-TO247-4-3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 15.7mm | |
| Výška | 4.9mm | |
| Délka | 20.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Hybridní diskrétní dioda | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 75A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Počet tranzistorů 2 | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 395W | ||
Typ balení PG-TO247-4-3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 15.7mm | ||
Výška 4.9mm | ||
Délka 20.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Diskrétní IGBT společnosti Infineon s schottkyho diodou z karbidu křemíku má mimořádně nízké spínací ztráty díky kombinaci technologie diod TRENCHSTOP 5 a CoolSiC, stejně jako pouzdro emitoru Kelvin.
Nejvyšší účinnost
Snížené chladicí úsilí
Zvýšená hustota výkonu
Související odkazy
- Infineon Hybridní diskrétní dioda IKZA75N65SS5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový 2 Průchozí otvor
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 Typ N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R033M2HXKSA1 Typ N-kanálový 53 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R010M2HXKSA1 Typ N-kanálový 144 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R060M2HXKSA1 Typ N-kanálový 32.8 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R026M2HXKSA1 Typ N-kanálový 64 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový