Infineon IGBT FS50R12KT3BPSA1 Typ N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V, Modul, počet kolíků: 28 kolíkový 6 Panel
- Skladové číslo RS:
- 273-2929
- Výrobní číslo:
- FS50R12KT3BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tác po 15 kusech)*
18 255,285 Kč
(bez DPH)
22 088,895 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 1 217,019 Kč | 18 255,29 Kč |
| 30 + | 1 186,588 Kč | 17 798,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2929
- Výrobní číslo:
- FS50R12KT3BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 75A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 280W | |
| Počet tranzistorů | 6 | |
| Konfigurace | Společný emitor | |
| Typ balení | Modul | |
| Typ montáže | Panel | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 28 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.15V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Délka | 107.5mm | |
| Výška | 20.5mm | |
| Normy/schválení | IEC61140, EN61140 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 75A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 280W | ||
Počet tranzistorů 6 | ||
Konfigurace Společný emitor | ||
Typ balení Modul | ||
Typ montáže Panel | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 28 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.15V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Délka 107.5mm | ||
Výška 20.5mm | ||
Normy/schválení IEC61140, EN61140 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Modul Infineon IGBT s rychlým TRENCHSTOP IGBT3, emitorově řízenou diodou HE a NTC.
Zavedená koncepce modulu Econo
K dispozici integrovaný snímač teploty
Konstrukce modulu s nízkou rozptýlenou indukcí
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 28 kolíkový 6 Panel
- Infineon IGBT Typ N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 31 kolíkový 7 Panel
- Infineon IGBT FP75R12N2T7BPSA2 Typ N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 31 kolíkový 7 Panel
- Infineon IGBT Společný emitor 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový Panel
- Infineon IGBT FF450R12KE4EHOSA1 Společný emitor 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový Panel
- onsemi IGBT FGY4L75T120SWD Typ N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 4 kolíkový 1 Průchozí
- Infineon IGBT Typ N-kanálový Společný emitor 70 A 1200 V, počet kolíků: 23 kolíkový 6 Panel
- Infineon IGBT TDB6HK124N16RRBPSA1 Typ N-kanálový Společný emitor 70 A 1200 V, počet kolíků: 23 kolíkový 6 Panel