IGBT IKB10N60TATMA1 30 A 600 V, TO-263-3 1
- Skladové číslo RS:
- 258-7725
- Výrobní číslo:
- IKB10N60TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
229,71 Kč
(bez DPH)
277,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 955 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 45,942 Kč | 229,71 Kč |
| 25 - 45 | 41,398 Kč | 206,99 Kč |
| 50 - 120 | 39,076 Kč | 195,38 Kč |
| 125 - 245 | 36,26 Kč | 181,30 Kč |
| 250 + | 33,592 Kč | 167,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-7725
- Výrobní číslo:
- IKB10N60TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 30 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | 20V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální ztrátový výkon | 110 W | |
| Konfigurace | Jednoduchý kolektor, jednoduchý emitor, jednoduchá brána | |
| Typ balení | TO-263-3 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 30 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor 20V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální ztrátový výkon 110 W | ||
Konfigurace Jednoduchý kolektor, jednoduchý emitor, jednoduchá brána | ||
Typ balení TO-263-3 | ||
Diskrétní IGBT od společnosti Infineon s antiparalelní diodou v pouzdru TO-263. Výrazně zlepšuje statický i dynamický výkon přístroje díky kombinaci konceptu zákopové buňky a zastavení pole. Má také nízkou vodivost a spínací ztráty.
Nejnižší pokles VCEsat pro nižší ztráty vodivosti
Snadné paralelní spínání díky kladnému teplotnímu koeficientu v VCEsat
Velmi měkká, rychlá obnovovací dioda řízená antiparalelním emitentem
Vysoká odolnost, chování stabilní při teplotě
Nízké nabíjení hradla
Snadné paralelní spínání díky kladnému teplotnímu koeficientu v VCEsat
Velmi měkká, rychlá obnovovací dioda řízená antiparalelním emitentem
Vysoká odolnost, chování stabilní při teplotě
Nízké nabíjení hradla
Související odkazy
- IGBT IKB10N60TATMA1 30 A 600 V, TO-263-3 1
- IGBT BIDW30N60T 30 A 600 V, TO-247 1
- IGBT BIDNW30N60H3 30 A 600 V, TO-247N 1
- IGBT IKB06N60TATMA1 N-kanálový 1899-12-31 06:00:00 600 V počet kolíků: 3 1
- IGBT IGB10N60TATMA1 N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGB10NC60HDT4 N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGB10NC60KDT4 N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IRGS15B60KPBF N-kanálový 31 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
