Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4G 150 A 1200 V 2
- Skladové číslo RS:
- 248-6698
- Výrobní číslo:
- SKM150GB12F4G
- Výrobce:
- Semikron
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 248-6698
- Výrobní číslo:
- SKM150GB12F4G
- Výrobce:
- Semikron
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Semikron | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 150 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±15.0V | |
| Počet tranzistorů | 2 | |
| Konfigurace | Poloviční můstek | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Semikron | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 150 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±15.0V | ||
Počet tranzistorů 2 | ||
Konfigurace Poloviční můstek | ||
Modul IGBT řady Semikron SEMITRANS má kolektor 1200 v na napětí emitoru. Používá se zejména v UPS, elektronických svářečů, indukčním ohřevu, Switched Mode napájecích zdrojích.
Zvýšená schopnost cyklování výkonu
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Související odkazy
- Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4G 150 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM100GB12F4 100 A 1200 V 2
- IGBT modul FD150R12RT4HOSA1 150 A 1200 V 1
- Infineon IGBT modul 150 A 1200 V 6
- Starpower IGBT modul GD150HFY120C2S Duální 150 A 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový 2
- Starpower IGBT modul GD150HFY120C1S Duální 150 A 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový 2
- Infineon IGBT modul FS150R12KT4B11BOSA1 150 A 1200 V 6
- Infineon IGBT 3fázový můstek 150 A 1200 V, Modul Panel