onsemi IGBT modul NXH450B100H4Q2F2PG 1 kV, Q2BOOST - pouzdro 180BG Povrch 2

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
245-6986
Výrobní číslo:
NXH450B100H4Q2F2PG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1kV

Maximální ztrátový výkon Pd

79W

Počet tranzistorů

2

Typ balení

Q2BOOST - pouzdro 180BG

Typ montáže

Povrch

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

47.3mm

Normy/schválení

RoHS

Výška

12.3mm

Délka

93.1mm

Řada

NXH450B100H4Q2F2PG

Automobilový standard

Ne

MODUL ON Semiconductor Q2BOOST je tříkanálový symetrický Boost modul si nebo SIC Hybrid. Každý kanál obsahuje dvě 1000 v, 150 A IGBT, dvě 1200 v, 30 A SIC diody a dvě 1600 v, 30 A obtoku diody. Modul obsahuje termistor NTC.

Technologie Silicon nebo SIC Hybrid maximalizuje hustotu výkonu

Nízká ztráta spínání snižuje rozptyl výkonu systému

Nízké indukční uspořádání

Stiskněte možnost uložení a pájecí kolík

Toto zařízení neobsahuje Pb, neobsahuje halogeny a vyhovuje směrnici RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.