onsemi IGBT modul NXH450B100H4Q2F2PG 1000 V, Q2BOOST - pouzdro 180BG Povrch 2

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
245-6986
Výrobní číslo:
NXH450B100H4Q2F2PG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1000V

Maximální ztrátový výkon Pd

79W

Počet tranzistorů

2

Typ balení

Q2BOOST - pouzdro 180BG

Typ montáže

Povrch

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

NXH450B100H4Q2F2PG

Výška

12.3mm

Šířka

47.3 mm

Délka

93.1mm

Automobilový standard

Ne

MODUL ON Semiconductor Q2BOOST je tříkanálový symetrický Boost modul si nebo SIC Hybrid. Každý kanál obsahuje dvě 1000 v, 150 A IGBT, dvě 1200 v, 30 A SIC diody a dvě 1600 v, 30 A obtoku diody. Modul obsahuje termistor NTC.

Technologie Silicon nebo SIC Hybrid maximalizuje hustotu výkonu

Nízká ztráta spínání snižuje rozptyl výkonu systému

Nízké indukční uspořádání

Stiskněte možnost uložení a pájecí kolík

Toto zařízení neobsahuje Pb, neobsahuje halogeny a vyhovuje směrnici RoHS

Související odkazy