Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ120N60TXKSA1 N-kanálový 160 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 226-6109
- Výrobní číslo:
- IKQ120N60TXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
293,68 Kč
(bez DPH)
355,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 240 jednotka(y) budou odesílané od 19. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 293,68 Kč |
| 10 - 24 | 270,22 Kč |
| 25 - 49 | 252,43 Kč |
| 50 - 99 | 235,14 Kč |
| 100 + | 217,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 226-6109
- Výrobní číslo:
- IKQ120N60TXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 160A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 833W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.5V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.1mm | |
| Délka | 41.2mm | |
| Šířka | 15.9mm | |
| Řada | TrenchStop | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 160A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 833W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.5V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.1mm | ||
Délka 41.2mm | ||
Šířka 15.9mm | ||
Řada TrenchStop | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon IKQ120N60T má 600 v těžko spínaný IGBT diskrétní s anti-paralelní dioda používá vyšší systémovou hustotu výkonu IC, které zvyšují udržení stejného tepelného výkonu systému a má vyšší spolehlivost s prodlouženou životností zařízení.
O 35 % větší aktivní oblast termo podložky pro až o 20 % nižší tepelný odpor R TH (jh)
Prodloužená vzdálenost povrchového průsaku 4.25 mm – 2 mm větší než TO-247
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ120N60TXKSA1 N-kanálový 160 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW20N120R5XKSA1 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW30N65EL5XKSA1 N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N65R5XKSA1 N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EH5ATMA1 N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ75N120CS6XKSA1 N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKY40N120CS6XKSA1 N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3