STMicroelectronics IGBT N-kanálový 145 A 650 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 212-2107P
- Výrobní číslo:
- STGW100H65FB2-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (20 jednotky/-ek, dodává se v tubě)*
3 747,00 Kč
(bez DPH)
4 533,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 568 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 48 | 187,35 Kč |
| 50 + | 156,105 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 212-2107P
- Výrobní číslo:
- STGW100H65FB2-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 145A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 441W | |
| Typ balení | TO-247-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Řada | STG | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 145A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 441W | ||
Typ balení TO-247-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 4 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 21.1mm | ||
Řada STG | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou škálu rychlých aplikací.
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)