STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

1 232,55 Kč

(bez DPH)

1 491,39 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 58 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 +123,255 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
206-8629P
Výrobní číslo:
STGW75H65DFB2-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

115A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

357W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

4

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

15.9mm

Řada

STG

Výška

5.1mm

Automobilový standard

Ne

Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Vynikající spínací výkon díky extra jízdě kelvin pin

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.