STMicroelectronics IGBT STGB30H65DFB2 Typ N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

2 961,50 Kč

(bez DPH)

3 583,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 11. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
50 - 9559,23 Kč
100 - 24547,424 Kč
250 - 49539,47 Kč
500 +34,778 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
204-9868P
Výrobní číslo:
STGB30H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

167W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.6mm

Normy/schválení

No

Délka

10.4mm

Řada

Trench Gate Field Stop

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 30 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.