onsemi IGBT FGHL50T65SQDT N-kanálový 100 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 202-5677
- Výrobní číslo:
- FGHL50T65SQDT
- Výrobce:
- onsemi
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 1 778,40 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
1 287,36 Kč
(bez DPH)
1 557,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 128,736 Kč | 1 287,36 Kč | - |
| 100 - 240 | 110,952 Kč | 1 109,52 Kč | 1 778,40 Kč |
| 250 + | 96,182 Kč | 961,82 Kč | 8 138,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5677
- Výrobní číslo:
- FGHL50T65SQDT
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 100A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 134W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±3 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.47V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | This Device is Pb-Free and is RoHS | |
| Řada | FGHL50T65SQDT | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 100A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 134W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±3 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.47V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení This Device is Pb-Free and is RoHS | ||
Řada FGHL50T65SQDT | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory IGBT SPOLEČNOSTI ON SEMICONDUCTOR nabízejí optimální výkon pro solární invertory, UPS, svářečky, telekomunikace, ESS a PFC aplikace, kde jsou zásadní nízké ztráty vedení a spínání.
Maximální propojovací teplota 175 °C.
Pro vysoké hodnoty proudu
Vysoká vstupní impedance
Rychlé spínání
Utáhněte distribuci parametrů
Neobsahuje PB a vyhovuje RoHS
Související odkazy
- onsemi IGBT N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi IGBT N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 19 ns
- onsemi IGBT FGHL50T65SQ N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 19 ns
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor