IGBT modul NXH100B120H3Q0PTG N-kanálový 1200 V, Q0BOOST, počet kolíků: 22 Duální

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 jednotka)*

996,10 Kč

(bez DPH)

1 205,28 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 6 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
1 +996,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
195-8769
Výrobní číslo:
NXH100B120H3Q0PTG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

186 W

Typ balení

Q0BOOST

Konfigurace

Duální

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ kanálu

N

Počet kolíků

22

Konfigurace tranzistoru

Duální

Rozměry

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

NXH100B120H3Q0 je napájecí modul s duálním zvyšujícím stupněm sestávající ze dvou IGBT 50A/1200 V, dvou diod SiC 20A/1200 V a dvou antiparalelních diod 25 A/1600 V pro IGBT. Součástí jsou i dva doplňkové bypassové usměrňovače 25 A/1600 V pro limitaci náběhových proudů. Součástka má integrovaný termistor.

Specifikace IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Rychlý IGBT s nízkou hodnotou VCE(SAT) pro vysokou účinnost
Bypassové a antiparalelní diody 25 A/1600 V
Bypassové diody s nízkou hodnotou VF pro vynikající účinnost v režimu bypassu
Specifikace usměrňovače SiC: VF = 1,44 V
Dioda SiC pro vysokorychlostní spínání
K dispozici jsou možnosti pájecího kolíku a nalisovacího kolíku
• Flexibilní montáž
Aplikace
Plnicí stupeň MPPT
Nabíjecí Stupeň Nabíječky Baterií

Související odkazy