Infineon IGBT modul FS30R06W1E3B11BOMA1 Typ N-kanálový 45 A 600 V, EASY1B, počet kolíků: 22 kolíkový Svorka 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 krabice po 24 kusech)*

11 033,232 Kč

(bez DPH)

13 350,216 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 03. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Krabici*
24 +459,718 Kč11 033,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-8763
Výrobní číslo:
FS30R06W1E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

45A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

EASY1B

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

22

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

48mm

Výška

12mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy