IGBT IXA70I1200NA N-kanálový 100 A 1200 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

9 691,29 Kč

(bez DPH)

11 726,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 10 jednotka(y) budou odesílané od 06. února 2026
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 13. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +969,129 Kč9 691,29 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4763
Výrobní číslo:
IXA70I1200NA
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

100 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

350 W

Typ balení

SOT-227B

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ kanálu

N

Počet kolíků

4

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

38.23 x 25.25 x 9.6mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+125 °C

Země původu (Country of Origin):
US

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky


IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy