IXYS Jednoduchý IGBT IXA70I1200NA Typ N-kanálový 100 A 1200 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 70 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

9 691,29 Kč

(bez DPH)

11 726,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 30 jednotka(y) budou odesílané od 10. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +969,129 Kč9 691,29 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4763
Výrobní číslo:
IXA70I1200NA
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

Jednoduchý IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

100A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

350W

Typ balení

SOT-227B

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

4

Spínací napětí

70ns

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.8V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747

Řada

Planar

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
US

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)

Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí

Možnost zkratu pro 10USEC

Teplotní koeficient kladného napětí na stavu

Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol

Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy