IGBT IXXK110N65B4H1 N-kanálový 570 A 650 V, TO-264, počet kolíků: 3 10 → 30kHz 1 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*

9 792,55 Kč

(bez DPH)

11 848,975 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 275 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
25 +391,702 Kč9 792,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4588
Výrobní číslo:
IXXK110N65B4H1
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

570 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

880 W

Typ balení

TO-264

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

10 → 30kHz

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Jmenovitá energie

3mJ

Maximální pracovní teplota

+175 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy