IXYS IGBT IXXK110N65B4H1 Typ N-kanálový 570 A 650 V, TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- Skladové číslo RS:
- 125-8051
- Výrobní číslo:
- IXXK110N65B4H1
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
437,84 Kč
(bez DPH)
529,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 6 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 279 jednotka(y) budou odesílané od 05. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 437,84 Kč |
| 2 - 4 | 392,48 Kč |
| 5 - 9 | 372,72 Kč |
| 10 - 24 | 355,19 Kč |
| 25 + | 336,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-8051
- Výrobní číslo:
- IXXK110N65B4H1
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 570A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 880W | |
| Typ balení | TO-264 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 30kHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | Trench | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 3mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 570A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 880W | ||
Typ balení TO-264 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 30kHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada Trench | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 3mJ | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT dispectes & Moduly, IXYS
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IXYS IGBT Typ N-kanálový 570 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- IXYS IGBT Typ N-kanálový 100 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 60 kHz
- IXYS IGBT IXXK100N60C3H1 Typ N-kanálový 100 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 60 kHz
- IXYS vysokorychlostní IGBT Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 50 kHz
- IXYS IGBT IXXH80N65B4H1 Typ N-kanálový 430 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- IXYS vysokorychlostní IGBT IXYK100N120C3 Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 50
- řada: X2-Class MOSFET Typ N-kanálový 120 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: X2-Class MOSFET IXTK120N65X2 Typ N-kanálový 120 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení