Infineon Výkonové polovodiče Typ N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 240,79 Kč

(bez DPH)

2 711,37 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3074,693 Kč2 240,79 Kč
60 - 12070,955 Kč2 128,65 Kč
150 - 27067,974 Kč2 039,22 Kč
300 - 57064,977 Kč1 949,31 Kč
600 +60,507 Kč1 815,21 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-8138
Výrobní číslo:
IGW15T120FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

Výkonové polovodiče

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

110W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS

Jmenovitá energie

4.1mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy