STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT N-kanálový 25 A 450 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs
- Skladové číslo RS:
- 164-7025P
- Výrobní číslo:
- STGD20N45LZAG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 047,60 Kč
(bez DPH)
2 477,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 40,952 Kč | - |
| 250 - 495 | 36,556 Kč | 10% |
| 500 + | 31,418 Kč | 23% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 164-7025P
- Výrobní číslo:
- STGD20N45LZAG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 25A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 450V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 8.4μs | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.55V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 16 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Řada | Automotive Grade | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Jmenovitá energie | 300mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 25A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 450V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 8.4μs | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.55V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 16 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Šířka 6.2mm | ||
Řada Automotive Grade | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Jmenovitá energie 300mJ | ||
Tyto IGBT pro konkrétní aplikace využívají pokročilou technologii PowerMESH™ optimalizovanou pro buzení cívky v náročném prostředí automobilových zapalovacích systémů. Tato zařízení nabízí možnost velmi malého napětí v zapnutém stavu a odolnost proti velmi vysoké energie SCIS v širokém rozsahu provozních teplot. Navíc vstup hradla logické úrovně s ESD ochranou a integrovaný rezistor hradla znamenají, že nejsou nutné žádné externí ochranné obvody.
Energie SCIS 300 mJ při TJ = 25 °C
Díly jsou 100% testovány v podmínkách SCIS
Ochrana hradla-emitoru před ESD
Sevření hradla-kolektoru při vysokém napětí
Budič hradla logické úrovně
Velmi nízké saturační napětí
Vysoká odolnost proti pulznímu proudu
Rezistor hradla a hradla-emitoru