IGBT modul FF150R12YT3BOMA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EASY2, počet kolíků: 9 1MHz Sériové zapojení

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Skladové číslo RS:
145-9513
Výrobní číslo:
FF150R12YT3BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

200 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

625 W

Typ balení

EASY2

Konfigurace

Řada

Typ montáže

Montáž na plošný spoj

Typ kanálu

N

Počet kolíků

9

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Sériové zapojení

Rozměry

55.9 x 39.6 x 17mm

Maximální pracovní teplota

+125 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy