onsemi IGBT-Ultra Field Stop Typ N-kanálový 25 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 086,52 Kč

(bez DPH)

3 734,70 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 30 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 90102,884 Kč3 086,52 Kč
120 - 24082,30 Kč2 469,00 Kč
270 - 48077,772 Kč2 333,16 Kč
510 - 99074,627 Kč2 238,81 Kč
1020 +72,758 Kč2 182,74 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-3284
Výrobní číslo:
NGTB25N120FL3WG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT-Ultra Field Stop

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

25A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

349W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

20.8mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

Field Stop

Šířka

16.25 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, on Semiconductor


Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, on Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy