IGBT NGTB25N120FL3WG N-kanálový 100 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 145-3284
- Výrobní číslo:
- NGTB25N120FL3WG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
3 086,52 Kč
(bez DPH)
3 734,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 30 jednotka(y) budou odesílané od 25. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 102,884 Kč | 3 086,52 Kč |
| 120 - 240 | 82,30 Kč | 2 469,00 Kč |
| 270 - 480 | 77,772 Kč | 2 333,16 Kč |
| 510 - 990 | 74,627 Kč | 2 238,81 Kč |
| 1020 + | 72,758 Kč | 2 182,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-3284
- Výrobní číslo:
- NGTB25N120FL3WG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 100 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 349 W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Rychlost spínání | 1MHz | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Kapacitance hradla | 3085pF | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 100 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 349 W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Rychlost spínání 1MHz | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Kapacitance hradla 3085pF | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IGBT NGTB25N120FL3WG N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IGW60T120FKSA1 N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IKW40N120T2FKSA1 N-kanálový 75 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGW30NC120HD N-kanálový 60 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IGW25N120H3FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT NGTB35N65FL2WG N-kanálový 70 A 650 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGW30V60DF N-kanálový 30 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGW20V60DF N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý