onsemi IGBT-Field Stop II N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 145-3469
- Výrobní číslo:
- NGTB40N65FL2WG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (30 jednotky/-ek, do tubusu po 30 ks)*
3 056,13 Kč
(bez DPH)
3 697,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 30 jednotka(y) budou odesílané od 20. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 101,871 Kč | 3 056,13 Kč |
| 120 - 240 | 81,716 Kč | 2 451,48 Kč |
| 270 - 480 | 77,204 Kč | 2 316,12 Kč |
| 510 + | 72,437 Kč | 2 173,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-3469
- Výrobní číslo:
- NGTB40N65FL2WG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | IGBT-Field Stop II | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 366W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 21.34mm | |
| Výška | 5.3mm | |
| Šířka | 16.25mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | Field Stop | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu IGBT-Field Stop II | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 366W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 21.34mm | ||
Výška 5.3mm | ||
Šířka 16.25mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada Field Stop | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- onsemi IGBT-Field Stop II NGTB40N65FL2WG Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1
- onsemi IGBT-Field Stop II NGTB35N65FL2WG Typ N-kanálový 70 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1
- onsemi IGBT-Field Stop II Typ N-kanálový 70 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi IGBT-Ultra Field Stop NGTB25N120FL3WG Typ N-kanálový 25 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor