onsemi IGBT Typ N-kanálový 40 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 124-1446
- Výrobní číslo:
- FGH40T120SMD
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
3 764,28 Kč
(bez DPH)
4 554,78 Kč
(s DPH)
Přidejte 30 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Dočasně vyprodáno
- 450 jednotka(y) budou odesílané od 01. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 125,476 Kč | 3 764,28 Kč |
| 150 - 270 | 108,787 Kč | 3 263,61 Kč |
| 300 + | 104,028 Kč | 3 120,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-1446
- Výrobní číslo:
- FGH40T120SMD
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 555W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±25 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.8V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | Field Stop | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 555W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±25 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.8V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada Field Stop | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IGBT FGH40T120SMD N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IKW40N120H3FKSA1 N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IGW40N120H3FKSA1 N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT STGW25S120DF3 N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXGH40N120B2D1 N-kanálový 75 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXA45IF1200HB N-kanálový 78 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXA12IF1200HB N-kanálový 20 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
