IGBT FGH40T120SMD N-kanálový 80 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 764,28 Kč

(bez DPH)

4 554,78 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 450 jednotka(y) budou odesílané od 01. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 120125,476 Kč3 764,28 Kč
150 - 270108,787 Kč3 263,61 Kč
300 +104,028 Kč3 120,84 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1446
Výrobní číslo:
FGH40T120SMD
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

80 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±25V

Maximální ztrátový výkon

555 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy