STMicroelectronics, standard: Ne EEPROM M24M01E-FMC6TG, 1 MB 8ů, I2C 450 ns, počet kolíků: 8 kolíkový, UFDFPN-8

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*

100,28 Kč

(bez DPH)

121,34 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 4 985 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za pásku*
5 - 4520,056 Kč100,28 Kč
50 - 9519,02 Kč95,10 Kč
100 - 49517,586 Kč87,93 Kč
500 - 99516,252 Kč81,26 Kč
1000 +15,66 Kč78,30 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
152-098
Výrobní číslo:
M24M01E-FMC6TG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Velikost paměti

1MB

Typ produktu

EEPROM

Typ rozhraní

I2C

Typ balení

UFDFPN-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální frekvence hodin

1MHz

Organizace

128 K x 8 Bit

Minimální napájecí napětí

1.65V

Počet bitů na slovo

8

Maximální napájecí napětí

5.5V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

85°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

M24M01E-F

Napájecí proud

1mA

Maximální čas náhodného přístupu

450ns

Zachování dat

200year

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH
Paměť STMicroelectronics M24M01E-F je 1Mbitová I²C-kompatibilní paměť EEPROM (elektricky mazatelná programovatelná paměť) uspořádaná jako 128K x 8 bitů. Může pracovat s napájecím napětím od 1,6 V do 5,5 V s taktovací frekvencí až 1 MHz, v rozsahu okolních teplot od -40 °C do +85 °C. Zařízení nabízí tři 8bitové registry, a to registr DTI (Device Type Identifier), CDA (Configurable Device Address) a SWP (Software Write Protection).

Zápis bajtů a stránek do 4 ms (typicky 3 ms)

Vylepšená ochrana proti ESD nebo latch-up

Konfigurovatelný registr adresy zařízení

Registr identifikátoru typu zařízení (pouze pro čtení)

Předprogramovaná adresa zařízení

Registr softwarové ochrany proti zápisu

Hardwarová ochrana zápisu celého paměťového pole

Režimy náhodného a sekvenčního čtení

Související odkazy