onsemi, standard: AEC-Q100 Vyrovnávací paměť MC74HC125ADG 4kanálová 74HC 3 stavy Vyrovnávací paměť Neinvertující, počet

Zobrazit vše v kategorii Buffery

Mezisoučet (1 tuba po 55 kusech)*

290,235 Kč

(bez DPH)

351,175 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 275 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
55 +5,277 Kč290,24 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
184-4274
Výrobní číslo:
MC74HC125ADG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Řada logiky

74HC

Typ produktu

Vyrovnávací paměť

Logická funkce

Vyrovnávací paměť

Počet kanálů

4

Vstup Schmittův klopný obvod

Ne

Typ vstupu

Jedno zakončení

Typ montáže

Povrch

Typ výstupu

3 stavy

Polarita

Neinvertující

Minimální napájecí napětí

2V

Typ balení

SOIC

Počet kolíků

14

Maximální napájecí napětí

6V

Maximální doba zpoždění šíření @ CL

135ns

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální výstupní proud vysoká úroveň

7.8mA

Maximální výstupní proud nízká úroveň

7.8mA

Maximální provozní teplota

125°C

Délka

8.75mm

Výška

1.5mm

Šířka

4 mm

Řada

MC74HC

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q100

Napájecí proud

75mA

Vysoce výkonný CMOS silikonový hradlo s vysokým výkonem. Modely MC74HC125A a MC74HC126A jsou shodné s modely LS125 a LS126. Vstupy zařízení jsou kompatibilní se standardními výstupy CMOS s pullup rezistory, jsou kompatibilní s výstupy LSTTL. Neinverzní vyrovnávací paměti HC125A a HC126A jsou určeny pro použití s 3stavovými ovladači adres paměti, ovladači hodin a dalšími systémy orientovanými na sběrnici. Zařízení jsou vybavena čtyřmi samostatnými výstupy, které jsou aktivní-nízké (HC125A) nebo aktivní-vysoké (HC126A).

Funkce výstupního disku: 15 LSTTL zatížení

Výstupy přímo do CMOS, NMOS a TTL

Rozsah provozního napětí: 2,0 až 6,0 V.

Malý vstupní proud: 1,0 mA

Odolnost proti vysokému šumu Charakteristika zařízení CMOS

Složitost čipu: 72 tranzistorů FET nebo 18 ekvivalentní Gates

K dispozici jsou bezolovnatá pouzdra

Související odkazy