DiodesZetex MOSFET DGD2181S8-13 MOSFET 2 2.3 A, počet kolíků: 8 kolíkový 20V, SO-8
- Skladové číslo RS:
- 246-7491
- Výrobní číslo:
- DGD2181S8-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 246-7491
- Výrobní číslo:
- DGD2181S8-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Výstupní proud | 2.3A | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Doba poklesu | 20ns | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ budiče | MOSFET | |
| Minimální napájecí napětí | 10V | |
| Počet budičů | 2 | |
| Maximální napájecí napětí | 20V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Výstupní proud 2.3A | ||
Počet kolíků 8 | ||
Doba poklesu 20ns | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ budiče MOSFET | ||
Minimální napájecí napětí 10V | ||
Počet budičů 2 | ||
Maximální napájecí napětí 20V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
DiodesZetex DGD2181 je vysokonapěťový/vysokorychlostní budič hradla schopný řídit tranzistory MOSFET s N-kanálem a IGBT v konfiguraci s polovičním můstkem. Techniky zpracování vysokého napětí umožňují přepnutí zařízení DGD2181 na 600 v během zavádění. Logické vstupy jsou kompatibilní se standardními úrovněmi TTL a CMOS (až 3,3 v) pro snadné propojení s řídícími zařízeními. Výstupy ovladače jsou vybaveny nárazníky s vysokým pulzním proudem navrženými pro minimální vedení křížového vedení řidiče. Je nabízen v BALENÍ SO-8 a provozní teplota se prodlužuje od -40°C do +125°C.
Plovoucí high-side ovladač v bootstrap provozu na 600V pohony dva N-kanálové MOSFETy nebo IGBT v konfiguraci půl mostu 1.9A zdroj / 2.3A výkon potopení výstupy tolerantní k negativním přechodovým jevům, široký low-side gate ovladač a logické napájení 10V na 20V logický vstup (HIN a LIN) 3.3V schopnost
Související odkazy
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2 2.3 A SO-8
- Infineon MOSFET MOSFET 4 A SO-14
- Infineon MOSFET IRS21864SPBF MOSFET 4 A SO-14
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2 290 mA VDFN
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 1 4 A SO-16
- STMicroelectronics MOSFET L6491D MOSFET 1 4 A SO-16
- DiodesZetex Modul budiče hradla 2 2.3 A SOIC
- DiodesZetex MOSFET DGD1003FTA-13 MOSFET 2 290 mA VDFN
