SRAM S70KL1282GABHV020, 128Mbit

Paměť DRAM Infineon je vysokorychlostní samočinná obnovovací paměť DRAM CMOS s rozhraním HYPERBUSTM. Pole DRAM využívá dynamické buňky, které vyžadují pravidelné obnovování. Ovládací logika obnovení uvnitř zařízení spravuje obnovovací operace na pole DRAM, když paměť není aktivně čtena nebo zapisována hlavním rozhraním HYPERBUSTM. Vzhledem k tomu, že hostitel není povinen spravovat žádné obnovovací operace, zobrazuje se hostiteli pole DRAM, jako by paměť používala statické buňky, které uchovávají data bez obnovení. Proto je paměť přesněji popsána jako pseudo-statická paměť RAM.

Rozhraní HYPERBUSTM
Maximální rychlost hodin 200 MHz
Konfigurovatelné charakteristiky prasknutí
Datová rychlost až 400 MB/s
Obousměrný datový stroboskop pro čtení a zápis
Volitelný středově zarovnaný stroboskop pro čtení DDR