Infineon SRAM, standard: AEC-Q100, 128 MB 200 MHz, FBGA-24 kulička
- Skladové číslo RS:
- 273-5438
- Výrobní číslo:
- S70KL1282GABHV020
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
123,50 Kč
(bez DPH)
149,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Omezený stav zásob
- 1 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 123,50 Kč |
| 10 - 24 | 113,87 Kč |
| 25 - 49 | 109,42 Kč |
| 50 - 99 | 107,20 Kč |
| 100 + | 99,79 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-5438
- Výrobní číslo:
- S70KL1282GABHV020
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 128MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Počet bitů na slovo | 16 | |
| Maximální čas náhodného přístupu | 35ns | |
| Maximální frekvence hodin | 200MHz | |
| Minimální napájecí napětí | 1.8V | |
| Typ časování | DDR | |
| Maximální napájecí napětí | 3V | |
| Typ balení | FBGA-24 kulička | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 105°C | |
| Řada | HYPERRAM | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 128MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Počet bitů na slovo 16 | ||
Maximální čas náhodného přístupu 35ns | ||
Maximální frekvence hodin 200MHz | ||
Minimální napájecí napětí 1.8V | ||
Typ časování DDR | ||
Maximální napájecí napětí 3V | ||
Typ balení FBGA-24 kulička | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 105°C | ||
Řada HYPERRAM | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q100 | ||
Paměť DRAM Infineon je vysokorychlostní samočinná obnovovací paměť DRAM CMOS s rozhraním HYPERBUSTM. Pole DRAM využívá dynamické buňky, které vyžadují pravidelné obnovování. Ovládací logika obnovení uvnitř zařízení spravuje obnovovací operace na pole DRAM, když paměť není aktivně čtena nebo zapisována hlavním rozhraním HYPERBUSTM. Vzhledem k tomu, že hostitel není povinen spravovat žádné obnovovací operace, zobrazuje se hostiteli pole DRAM, jako by paměť používala statické buňky, které uchovávají data bez obnovení. Proto je paměť přesněji popsána jako pseudo-statická paměť RAM.
Rozhraní HYPERBUSTM
Maximální rychlost hodin 200 MHz
Konfigurovatelné charakteristiky prasknutí
Datová rychlost až 400 MB/s
Obousměrný datový stroboskop pro čtení a zápis
Volitelný středově zarovnaný stroboskop pro čtení DDR
Související odkazy
- Infineon SRAM 128 MB 200 MHz, FBGA-24 kulička
- Infineon SRAM počet kolíků: 48 kolíkový, FBGA
- Infineon SRAM CY62187EV30LL-55BAXI počet kolíků: 48 kolíkový, FBGA
- Infineon SRAM počet kolíků: 32 kolíkový, TSOP I
- Infineon SRAM CY7C109D-10VXI počet kolíků: 32 kolíkový, TSOP I
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový 3.6
- Infineon SRAM 4 MB 256 k x 16 Bit 1 MHz TSOP
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový 3.6 V, 2.7 V
