Paměť SRAM 71V416S12PHGI, 4Mbit 256K x 16ů

Asynchronní asynchronní statická paměť RAM společnosti Renesas Electronics nabízí 4 194 304bitovou vysokorychlostní statickou paměť RAM s rozlišením 256 K x 16. Je vyrobena za použití vysoce výkonné a vysoce spolehlivé technologie CMOS. Tato nejmodernější technologie v kombinaci s inovativními technikami navrhování obvodů poskytuje nákladově efektivní řešení pro potřeby vysokorychlostní paměti. Má pin umožňující výstup, který pracuje rychle až 5 ns, s časem přístupu k adresám až 10 ns. Je v 44kolíkovém plastovém pouzdru SOJ 400 mil a 44kolíkovém pouzdru TSOP typu II 400 mil a 48kolíkovém pole s kuličkovou mřížkou, pouzdro 9 mm x 9 mm.

Pokročilá vysokorychlostní statická paměť RAM CMOS 256K x 16 JEDEC pro centrální napájení / pinout GND pro snížení šumu. Jeden výběr čipu a jeden výstup umožňující kolík Obousměrné datové vstupy a výstupy přímo kompatibilní s LVTTL Nízká spotřeba energie prostřednictvím zrušení výběru čipu Horní a dolní bajty umožňující kolíky Jednoduchý napájecí zdroj 3,3 V K dispozici v 44kolíkovém plastovém pouzdru SOJ 400 mil a 44kolíkovém pouzdru TSOP typu II 400 mil a 48kolíkovém pole s kuličkovou mřížkou, pouzdro 9 mm x 9 mm. K dispozici zelené díly, viz informace o objednávce