SRAM IS61WV25616BLL-10BLI, 4Mbit 256k x 16 bitů 2,4 V až 3,6 V, počet kolíků: 48, TFBGA

Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.

Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM

SRAM (statická paměť s přímým přístupem)