SDRAM AS4C8M16SA-6TIN, 128Mbit Povrchová montáž 166MHz -40 °C až +85 °C, počet kolíků: 54, 3 V až 3,6 V, TSOP DDR

Alliance Memory 128MB SDRAM je vysokorychlostní CMOS synchronní DRAM obsahující 128 Mbits. Je interně konfigurován jako 4 bank 2M Word x 16 DRAM se synchronním rozhraním (všechny signály jsou registrovány na kladném okraji taktovací frekvence, CLK). Přístup pro čtení a zápis do paměti SDRAM je orientován na sérii

Automatické obnovení a vlastní obnovení
4096 cyklů obnovení / 64 ms
Režim vypnutí CKE
Jeden + 3.3V zdroj napájení 0,3V
Rozhraní: LVTTL